【培訓(xun)大綱: 】
第一階段
第1部分 概述
1.1 模擬集成電路設計
1.2 字符、符號和術語
1.3 模擬信號處理
1.4 vlsi混合信號電路設計模擬(ni)舉例
實驗
第2部分 cmos技術
2.1 基本mos半導體制造工藝
2.2 pn結
2.3 mos晶體管
2.4 無源元件
2.5 關于cmos技術的其他考慮
2.6 集成(cheng)電路版(ban)圖(tu)
實驗
第3部分 cmos器件模型
3.1 簡單的mos大信號模型(spice level1)
3.2 其他mos管大信號模型的參數
3.3 mos管的小信號模型
3.4 計算機仿真模型
3.5 亞閾值電壓區mos模型
3.6 mos電路(lu)的spice模(mo)擬
實驗
第4部分 模擬cmos子電路
4.1 mos開關
4.2 mos二極管/有源電阻
4.3 電流漏和電流源
4.4 電流鏡
4.5 基準電流和電壓
4.6 帶隙基準(zhun)
實驗
第5部分 cmos放大器
5.1 反相器
5.2 差分放大器
5.3 共源共柵放大器
5.4 電流放大器
5.5 輸出放大器
5.6 高(gao)增(zeng)益放大器結構
實驗
第二階段
5. 開關電容網絡分析
1）分析方法
2）濾波器設計
3）器件特性（分析如何提高精度、降低誤差）
4）DC－DC轉換
5）怎樣產生高壓、倍壓電路
6）軟件分析
6. 比較器電路設計
1）比較器參數的要求（功耗、速度、電壓等）
2）怎樣設計比較器以及與運放的差別
7. 負反饋放大器
8. 振蕩器 ...
第三階段
由于CMOS工藝日益完善，并具有高集成度、低成本、低功耗與數模兼容等特點，已成為當前集成電路的主要工藝；
本階段課程(cheng)分(fen)成(cheng)3大(da)部(bu)分(fen)：
CMOS器(qi)件，單元電(dian)路，CMOS運(yun)放(fang)的原理(li)與設計(ji)技術(shu)，并介紹低(di)電(dian)壓、低(di)功耗(hao)、高速運(yun)放(fang)的設計(ji)方法。通過該部(bu)分學習，使學員掌握CMOS模擬電(dian)路的基本(ben)設計(ji)技能。
三、 高性能CMOS模擬電路的設計技術：
這部分主要介紹高性能A/D，∑△A/D，PLL，SC等電路原理及設計技術，并提供當前主要研究成果以及發展方向。
本(ben)課程采用(yong)當前權威(wei)的(de)CMOS模擬(ni)集成電路設計(ji)教材，并結合(he)實際情況(kuang)，介紹與交流CNOS模擬(ni)集成電路的(de)實際設計(ji)經驗與新的(de)研究成果。
第四階段
第6部分 cmos運算放大器
6.1 cmos運算放大器設計
6.2 運算放大器的補償
6.3 兩級運算放大器設計
6.4 兩級運算放大器的電源抑制比
6.5 共源共柵運算放大器
6.6 運算放大器的仿真和測量
6.7 運算放大器的宏模型(xing)
實驗
第7部分 高性能cmos運算放大器
7.1 緩沖運算放大器
7.2 高速/高頻cmos運算放大器
7.3 差分輸出運算放大器
7.4 微功耗運算放大器
7.5 低噪聲運算放大器
7.6 低電壓運算放大器
7
實驗
第8部分 比較器
8.1 比較器的特性
8.2 兩級開環比較器
8.3 其他開環比較器
8.4 開環比較器性能的改進
8.5 離散時間比較器
8.6 高速比較器
實驗
第9部分 開關電容電路
9.1 開關電容電路
9.2 開關電容放大器
9.3 開關電容積分器
9.4 兩相開關電容電路的z域模型
9.5 一階開關電容電路
9.6 二階開關電容電路
9.7 開關(guan)電容濾波器
實驗
第10部分 數模和模數轉換器
10.1 數模轉換器簡介及特性
10.2 并行數模轉換器
10.3 并行數模轉換器分辨率的擴展
10.4 串行數字模擬轉換器
10.5 模數轉換器簡介和特性
10.6 串行模數轉換器
10.7 中速模數轉換器
10.8 高速模數轉換器
10.9 過采(cai)樣轉換器(qi)
實驗
